一种功率晶体管及电子设备
基本信息
| 申请号 | CN202020388558.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212010979U | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN212010979U | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏令 | 申请（专利权）人 | 顶诺微电子（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京威禾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 沈超 |
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田街道五和大道南2号万科星火Dnline天枢仓4层思维A39 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种功率晶体管及电子设备，其中功率晶体管至少包括衬底、缓冲层以及势垒层；以及位于所述势垒层以上的栅极、源极和漏极；其中，在所述栅极下方和所述源极、漏极之间的导电沟道中设有一个或多个绝缘的隔离结构。本申请还涉及包括该种功率晶体管的电子设备。本申请将隔离结构设置在功率晶体管的导电沟道中，通过减少散热较差部分导电路径，优化了导电路径，使得功率晶体管整体的温度分布更加均匀，减少热点产生的可能性，提高功率晶体管的工作稳定性。 |
