一种温度自补偿的化合物半导体功率放大器
基本信息
| 申请号 | CN201720422466.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206672918U | 公开（公告）日 | 2017-11-24 |
| 申请公布号 | CN206672918U | 申请公布日 | 2017-11-24 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 顶诺微电子（北京）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100093 北京市海淀区清华大学西南2号楼，2-503 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种温度自补偿的化合物半导体功率放大器，有利于紧密的追踪化合物半导体高电子迁移率晶体管的温度变化，以同样的电压幅度来补偿温度变化引起的阈值电压变化，并以一个元件代替传统温度补偿电路模块，其特征在于，在同一个封装外壳里，同时封装一个化合物半导体肖特基二极管和化合物半导体高电子迁移率晶体管，上述肖特基二极管的阳极金属层和上述高电子迁移率晶体管的栅极金属层结构一致，上述肖特基二极管的势垒层和上述高电子迁移率晶体管的隔离层材料一致，上述肖特基二极管的阳极和上述化合物半导体晶体管的栅极通过导线连接，并与封装外壳上1号接口连接，肖特基二极管的阴极与封装外壳上2号接口连接，上述高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别与封装外壳上3号和4号接口连接。 |
