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石墨预热片、半导体预热装置、硅芯炉及磷检炉

基本信息

申请号 CN201110333579.X 申请日 -
公开（公告）号 CN102505145B 公开（公告）日 2014-12-10
申请公布号 CN102505145B 申请公布日 2014-12-10
分类号 C30B35/00(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I;C30B13/18(2006.01)I;C30B13/28(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 曹泽俊;刘华 申请（专利权）人 江西赛维LDK太阳能多晶硅有限公司
代理机构 广州三环专利代理有限公司 代理人 江西赛维LDK太阳能多晶硅有限公司
地址 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种石墨预热片及半导体预热装置，所述石墨预热片包括本体，所述本体上设置有多个通孔。所述半导体预热装置，位于硅芯炉内部，包括高频线圈和与所述高频线圈同轴设置的石墨预热片。本发明实施例还提供了一种使用该半导体预热装置的硅芯炉和磷检炉。本发明实施例的石墨预热片可以使高频线圈发出的磁线穿过通孔到达母料，使母料在温度有一定程度升高变成导磁体后，产生涡流效应，从而使母料快速地熔化。