一种薄膜晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410346471.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104134613B | 公开（公告）日 | 2018-12-11 |
| 申请公布号 | CN104134613B | 申请公布日 | 2018-12-11 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/786 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高金字;吕雅茹;鍾享顯;陸文正 | 申请（专利权）人 | 福州华映视讯有限公司 |
| 代理机构 | 福州君诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 地址 | 350000 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种制造薄膜晶体管的方法，包含下列步骤：形成闸极于基板上；形成闸极绝缘层于闸极上；形成图案化半导体层于闸极绝缘层上；形成源极于图案化半导体层上；氧化源极的外围部份以形成氧化层，其中氧化层覆盖源极及部分的图案化半导体层；形成保护层与氢离子，其中保护层覆盖氧化层与图案化半导体层；以及以氢离子掺杂未被氧化层覆盖的图案化半导体层，以形成汲极。本发明亦提供一种薄膜晶体管。 |
