一种单晶硅热场二次加料装置
基本信息
| 申请号 | CN200820303350.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201331263Y | 公开（公告）日 | 2009-10-21 |
| 申请公布号 | CN201331263Y | 申请公布日 | 2009-10-21 |
| 分类号 | F27B14/16(2006.01)I;F27B17/00(2006.01)I;F27D3/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 分类 | 炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉〔4〕; |
| 发明人 | 田党军;钟小平 | 申请（专利权）人 | 浙江舒奇蒙能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 地址 | 311227浙江省杭州市萧山区南阳经济开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种加料装置，尤其是涉及一种单晶硅热场中，高温作业下的第二次加入硅砂原材料的二次加料装置，包括单晶硅热场炉、夹头、推杆、料筒，在推杆的下端设一圆锥体，推杆穿过料筒，圆锥体的大端直径大于料筒的直径，料筒内加入硅砂，由起吊输送装置中的夹头自动把料筒送进单晶硅热场炉中，继续下压推杆，硅砂在自重作用下流入坩埚中，与前一次加入的已熔化的硅砂一道熔融，以达到单次结晶体大增的目的。 |
