一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺

基本信息

申请号 CN200810060641.0 申请日 -
公开(公告)号 CN100590896C 公开(公告)日 2010-02-17
申请公布号 CN100590896C 申请公布日 2010-02-17
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨德仁;孙振华;朱鑫;汪雷 申请(专利权)人 浙江舒奇蒙能源科技有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 韩介梅
地址 310027浙江省杭州市浙大路38号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开的低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺是在RTP炉中富氧气氛下进行,依次经烘烤、分阶段不同升温速率升温、快速冷却,烧结过程不保温,因此烧结过程短,减小了能耗。该工艺可以在大规模丝印单晶硅太阳电池生产工艺上应用。经过该烧结工艺烧结后得到的电池片的弯曲度小于1mm,电池效率可以达到15%以上。从而能有效减小后续测试和组件封装时的破碎率,降低电池生产成本,有利于太阳电池的发展。