一种芯片生产用离子植入设备
基本信息
| 申请号 | CN201810917954.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148248B | 公开（公告）日 | 2019-01-04 |
| 申请公布号 | CN109148248B | 申请公布日 | 2019-01-04 |
| 分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 王娟 | 申请（专利权）人 | 江苏华芯智造半导体有限公司 |
| 代理机构 | 无锡嘉驰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 唐维铁 |
| 地址 | 221200江苏省徐州市睢宁县双沟镇临空大道1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种芯片生产用离子植入设备，包括箱体，所述箱体内左侧底部固定设有离子源，所述离子源上方设有离子萃取装置，所述离子萃取装置包括四块入射板；所述离子萃取器上方设有第一加速器，所述第一加速器上方设有质量分析器，所述右侧开口右侧设有第二加速器；所述第二加速器右侧设有聚焦透镜，所述聚焦透镜右侧设有静电夹盘；所述箱体前侧壁外侧固定设有主控装置，所述主控装置内部嵌设有智能控制芯片。本发明结构设计合理，有效提高了灯丝的寿命，加强了偏离离子的吸收，并且使离子植入更加均匀而全面；通过智能控制板能够向智能控制芯片输入预订程序，并且通过显示板能够查看各类重要参数，有效提高设备的智能性、准确性与可操作性。 |
