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一种芯片生产用离子植入设备

基本信息

申请号 CN201810917954.7 申请日 -
公开（公告）号 CN109148248A 公开（公告）日 2019-01-04
申请公布号 CN109148248A 申请公布日 2019-01-04
分类号 H01J37/317;H01J37/244 分类 基本电气元件;
发明人 王娟 申请（专利权）人 江苏华芯智造半导体有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 236000 安徽省阜阳市太和县城关镇谭街41号1户
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种芯片生产用离子植入设备，包括箱体，所述箱体内左侧底部固定设有离子源，所述离子源上方设有离子萃取装置，所述离子萃取装置包括四块入射板；所述离子萃取器上方设有第一加速器，所述第一加速器上方设有质量分析器，所述右侧开口右侧设有第二加速器；所述第二加速器右侧设有聚焦透镜，所述聚焦透镜右侧设有静电夹盘；所述箱体前侧壁外侧固定设有主控装置，所述主控装置内部嵌设有智能控制芯片。本发明结构设计合理，有效提高了灯丝的寿命，加强了偏离离子的吸收，并且使离子植入更加均匀而全面；通过智能控制板能够向智能控制芯片输入预订程序，并且通过显示板能够查看各类重要参数，有效提高设备的智能性、准确性与可操作性。