一种基于GaAsBi-HEMT工艺的可重构宽带放大器
基本信息
| 申请号 | CN202210637625.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114710126A | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114710126A | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H03F1/42（2006.01）I;H03F1/56（2006.01）I;H03F1/30（2006.01）I;H03F1/32（2006.01）I;H03F1/26（2006.01）I;H03F3/60（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 叶珍;童伟;邬海峰;王测天;刘莹;滑育楠;廖学介 | 申请（专利权）人 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 西安正华恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 610200四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于GaAs Bi‑HEMT工艺的可重构宽带放大器，属于集成电路技术领域，包括频段可选输入匹配网络、自适应偏置馈电网络、PD控制单元和新型分布式放大网络。本发明采用了Bi‑HEMT工艺，该工艺在单片内集成了HBT和pHEMT，从而实现了最优化的芯片性能；其次，本发明电路具有可重构特性，实现了多频段可选和可动态控制电路的电性能，并可同时实现超宽带、高增益、高线性、高输出功率、较低功耗和较低噪声的特性，且具有很好的电路可靠性；最后，本发明电路具有温度稳定和自适应线性化特性。 |
