基于差值比较法的芯片ESD二极管工艺缺陷检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202011049190.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112275667B | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN112275667B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | B07C5/344（2006.01）I | 分类 | 将固体从固体中分离；分选; |
| 发明人 | 王测天;羊洪轮;邬海峰;张谦;黄梦;覃良;杨聪聪;李仁侠;胡柳林;石君;吕继平;童伟 | 申请（专利权）人 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都正德明志知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 610200四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于差值比较法的芯片ESD二极管工艺缺陷检测方法，能够筛选出ESD二极管导通电压或击穿电压异常的芯片，解决了现有芯片性能测试方法不能将二极管导通电压或击穿电压异常芯片完全筛选出来的技术问题。本发明采用的差值法可以显著遏制芯片量产测试的正常波动对于量产测试的干扰作用，有效拦截了ESD二极管导通电压或击穿电压异常的芯片。此外本发明采用两点IV的测试方法，测试速度快，测试环境简单。 |
