半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202010928400.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112071905B | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112071905B | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 潘晓伟;张杰;胡舜涛;李豪 | 申请（专利权）人 | 上海陆芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号2幢409室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管。所述半导体器件的终端结构包括：主结、场限环和截止环；所述场限环位于所述主结与所述截止环之间；漂移层，所述主结、所述场限环和所述截止环共用所述漂移层；其中，所述主结包括位于所述漂移层顶部的第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区位于所述第二扩散区远离所述场限环的一端，且所述第一扩散区的深度小于所述第二扩散区的深度；所述主结还包括至少一个第一沟槽，所述第一沟槽位于所述第一扩散区内；所述第一沟槽用于驱使所述主结内的部分电流路径为纵向流动。本发明可以在提高器件击穿电压的同时保证器件终端结构的可靠性。 |
