屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010693343.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111863969B | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN111863969B | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李豪;张杰;胡舜涛;潘晓伟 | 申请（专利权）人 | 上海陆芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号2幢409室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法。屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成沟槽；其中，所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层，所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层围合而成；在所述沟槽底部形成屏蔽导体；在所述屏蔽导体上形成栅极导体，所述栅极导体的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平；去除所述第一绝缘层，所述栅极导体的上表面高出所述半导体衬底的上表面。与现有技术相比，本发明实施例减小了屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的栅极电阻。 |
