一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置
基本信息
| 申请号 | CN202110002167.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724913A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724913A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01J37/32（2006.01）I;H01J37/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张瑶瑶;刘小波;胡冬冬;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东 | 申请（专利权）人 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。本发明通过两块挡板的配合刻蚀，从而提高晶圆成品的整体刻蚀均匀性，增加晶圆的利用率。 |
