一种倒装芯片中的镀膜方法
基本信息
| 申请号 | CN202110023354.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114752921A | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114752921A | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | C23C16/505（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 邹志文;崔虎山;邹荣园;范思大;丁光辉;许开东 | 申请（专利权）人 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种倒装芯片中的镀膜方法，本发明通过控制反应气体及高低频功率分配方式可实现低功率低温条件下进行低应力致密薄膜生成，同时提高薄膜侧壁覆盖和粘附性；相比现有工艺，本发明方法所制得的薄膜的致密性更好；同期应力对比基本无变化；应力稳定在压应力250Mpa；且在后续涂胶光刻工艺未出现薄膜脱落的问题。 |
