一种提高离子束刻蚀陡直度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011535973.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664644A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664644A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/263（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋中原;韩大建;车东辰;冯英雄;刘建;刘鹏;谷志强;李佳鹤 | 申请（专利权）人 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的一种提高离子束刻蚀陡直度的方法，包括如下步骤：步骤1，将已经图形化的晶圆传输至离子束刻蚀腔，首先进行离子束刻蚀，刻蚀至预定的膜层；步骤2，进行离子束修饰，改善晶圆侧壁陡直度；步骤3，循环离子束刻蚀和离子束修饰，直到刻蚀结束和修饰结束。本发明是在现有的设备上通过改变工艺流程来实现侧壁陡直度的提高，所以节约了成本；本发明由于刻蚀和修饰是分开来实现，所以可以在保持高效率刻蚀的同时得到较好的侧壁陡直度；本发明不通过选择掩模来实现高的侧壁陡直度，降低了掩模的使用要求，增加了掩模的使用范围；本发明由于修饰使用的角度较大，可以在提高侧壁陡直度的同时消除侧壁沉积，提高的器件的性能。 |
