一种线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源

基本信息

申请号	CN202110002163.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114724912A	公开（公告）日	2022-07-08
申请公布号	CN114724912A	申请公布日	2022-07-08
分类号	H01J37/32（2006.01）I;H01J37/08（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张瑶瑶;刘小波;胡冬冬;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东	申请（专利权）人	江苏鲁汶仪器股份有限公司
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	-
地址	221300江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源，包括从外至内依次同轴设置的离子源腔、线圈支撑、线圈和放电腔本体；放电腔本体包括放电腔顶部、放电腔中部和放电腔底部；放电腔顶部为中空圆环；放电腔底部为中心设有进气孔的圆盘；放电腔中部包括上端直筒和下端Dome型筒；线圈支撑的外圈安装在离子源腔的内壁面，线圈支撑的内壁面形状与放电腔本体的形状相同；线圈安装在线圈支撑内，且包括筒形螺旋线圈和Dome型线圈；筒形螺旋线圈的位置与上端直筒的位置相对应，Dome型线圈与下端Dome型筒的位置相对应；每层线圈到放电腔本体外壁面的距离均相等。本发明将盘香形ICP源与筒状ICP源相结合，能够分段调节放电腔本体内的等离子体密度，改善刻蚀均匀性。