一种等离子体密度控制系统及方法
基本信息
申请号 | CN202110002170.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114724914A | 公开(公告)日 | 2022-07-08 |
申请公布号 | CN114724914A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/08(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 胡冬冬;张瑶瑶;刘小波;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东 | 申请(专利权)人 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 221300江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种等离子体密度控制系统及方法,包括离子源、反应腔室、挡片机构和法拉第杯组;法拉第杯组设在与屏栅正对应的反应腔室壁面上,包括法拉第杯安装架和至少N个法拉第杯;N个法拉第杯与屏栅上N组屏栅环状孔的位置相对应;挡片机构包括驱动装置控制器和至少两组挡片组件;每组挡片组件均包括若干个挡片和挡片驱动装置;若干个挡片均沿放电腔尾端周向均匀布设;每个挡片均能旋转伸入放电腔内,遮挡进入屏栅环状孔的等离子体;挡片组件间的挡片交替布设,挡片组件间的挡片形状不同。本发明能对离子源引出的离子束密度进行测量,并对等离子体密度进行实时控制,有效解决由于工艺条件改变而导致的刻蚀不均匀问题,并减小生产成本。 |
