一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN201811598157.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111370282B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN111370282B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01J37/32;H01L21/67 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘自明;崔虎山;邹志文;蒋中原;车东晨;王珏斌;陈璐;许开东 | 申请（专利权）人 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京得信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟海娟;崔建丽 |
| 地址 | 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法，所采用的清洗气体包括CF4和N2O。本发明能够有效解决小型研究机构所使用的Si系等离子增强化学气相沉积腔室清洗问题，可以杜绝气路被污染甚至被堵的风险，提高设备的可靠性，延长设备维护周期，提高生产效率，降低颗粒污染，提高产品品质。 |
