一种等离子密度可调的离子源装置
基本信息
| 申请号 | CN202110002168.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724907A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724907A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01J37/08（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡冬冬;张瑶瑶;刘小波;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东 | 申请（专利权）人 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子密度可调的离子源装置，包括从内至外依次同轴设置的放电腔、螺旋线圈和离子源腔；放电腔的外壁面上设置有金属箔，金属箔能够屏蔽放电腔的内边缘磁场强度，中和趋肤效应所造成的等离子体密度偏高，使得放电腔内等离子体密度分布均匀。金属箔的宽度W取值范围为1~20mm，金属箔的厚度T取值范围为0.1mm~t，其中，t为趋肤深度；根据放电腔中的边缘等离子体密度和中心区域等离子体密度的差异性，选择金属箔的厚度T和表面积。本发明通过在放电腔外增加法拉第结构，并对法拉第结构进行功率分配，针对不同工况进行等离子体密度调节，从而有效改善刻蚀均匀性。 |
