一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010189752.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111403578B | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN111403578B | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | H01L33/64(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张立胜;贺钟冶 | 申请（专利权）人 | 深圳深旨科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 谭雪婷;梁炎芳 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华区观湖街道鹭湖社区观乐路5号多彩科技城2号楼1607 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了采用磁控溅射的方式在靶材上沉积高紫外线透过率的AlN、SiN薄膜材料，隔绝芯片与空气、水的接触，达到深紫外LED芯片封装的目的。本发明技术方案旨在保持封装结构气密性和稳定性，提高灯珠的使用寿命。 |
