太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉
基本信息
| 申请号 | CN201810796651.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108823635B | 公开（公告）日 | 2020-01-07 |
| 申请公布号 | CN108823635B | 申请公布日 | 2020-01-07 |
| 分类号 | C30B29/06（2006.01）; C30B28/06（2006.01）; C01B33/037（2006.01） | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 羊实; 庹开正 | 申请（专利权）人 | 江苏斯力康科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏斯力康科技有限公司 |
| 地址 | 224000 江苏省盐城市大丰区大丰港经济区中央大道1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉，解决了现有的太阳能级硅的物理冶炼法能耗高、对于金属杂质较高的金属硅原料的提纯效果有限的问题。本发明包括以下步骤：选取金属硅、粉碎，加入造渣剂装入石英坩埚，并置于可水平旋转的微波熔炼炉中进行真空熔炼，保温熔炼过程中对微波熔炼炉进行旋转，最后分段关闭磁控管控制金属硅逐步凝固，最后将所得硅锭远离微波熔炼炉中心的端部以及与坩埚粘黏的部分去除、清洗、干燥、包装得到太阳能级硅。本发明还公开了一种用于制备上述太阳能级硅的微波熔炼炉。本发明具有制备的太阳能级硅的纯度高，能耗低等优点。 |
