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一种磁控溅射设备

基本信息

申请号 CN202020183262.7 申请日 -
公开（公告）号 CN211420299U 公开（公告）日 2020-09-04
申请公布号 CN211420299U 申请公布日 2020-09-04
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I 分类 -
发明人 张诚 申请（专利权）人 三河市衡岳真空设备有限公司
代理机构 北京元合联合知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 李非非
地址 065200河北省廊坊市三河市燕郊高新区全景工业园三期33E
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种磁控溅射设备，该磁控溅射设备包括溅射室、位于该溅射室内相对设置的用于承载基片的基片台和溅射阴极、溅射电源以及设置在溅射室内的电子偏转磁场生成装置，该电子偏转磁场生成装置包括极性相反的第一磁极和第二磁极，该第一磁极和第二磁极在所述基片和所述溅射阴极之间形成水平方向的电子偏转磁场，该电子偏转磁场用于使溅射过程中朝向基片运动的电子发生偏转。本实用新型所提供的磁控溅射设备可以使溅射过程中朝向基片运动的电子发生偏转，从而降低到达基片的电子数量，进而降低电子对基片所形成的损伤。