一种半导体电阻的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210579894.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103050206A | 公开（公告）日 | 2013-04-17 |
| 申请公布号 | CN103050206A | 申请公布日 | 2013-04-17 |
| 分类号 | H01C17/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李岗;国欣鑫;张晓辉 | 申请（专利权）人 | 青岛艾德森能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 汤东凤 |
| 地址 | 266000 山东省青岛市市南区仙居路66号7号楼1单元401户 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体电阻的制备方法，半导体电阻其包括30-60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20-40wt%的矿渣砂，其特征在于，包括如下步骤：（a）、将按配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；（b）、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为20-30℃，处理时间为9-15小时；（c）、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为80-100℃，干燥时间为9-12小时。 |
