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一种新型场发射阴极

基本信息

申请号 CN201210583060.1 申请日 -
公开（公告）号 CN103065915A 公开（公告）日 2013-04-24
申请公布号 CN103065915A 申请公布日 2013-04-24
分类号 H01J29/04(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李岗;国欣鑫;张晓辉 申请（专利权）人 青岛艾德森能源科技有限公司
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 汤东凤
地址 266000 山东省青岛市市南区仙居路66号7号楼1单元401户
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种新型场发射阴极，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。