CNTs/金属纳米线复合导电膜及其制备方法、电子装置
基本信息
| 申请号 | CN201910195563.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109949973B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN109949973B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01B5/14（2006.01）I;H01B13/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张久杰;罗志忠;朱娜娜;高建;丁德宝 | 申请（专利权）人 | 广州国显科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨林洁 |
| 地址 | 511300 广东省广州市增城区永宁街香山大道2号（增城经济技术开发区核心区内） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及的一种CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，包括：在衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管远离所述衬底的一端开设开口；将金属纳米颗粒填入已开口的碳纳米管中，形成填充有金属纳米颗粒的碳纳米管阵列，制备得到CNTs/金属纳米线复合导电膜。本发明实施例通过纳米银颗粒填充至碳纳米管内，形成一个宏观的银纳米线，从而解决了由于银纳米线表面光滑形成的雾度问题。 |
