一种半导体处理装置、处理方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202010877684.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112002660A | 公开（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申请公布号 | CN112002660A | 申请公布日 | 2020-11-27 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温子瑛;金龙;杨帆;王银海;潘文宾;黄宇程;孙富成 | 申请（专利权）人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京国盛电子有限公司;无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 地址 | 210000江苏省南京市江宁经济技术开发区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体处理装置，包括本体，在所述本体的上端面形成凹进部，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，在底壁的每个所述位置处开设的与所述凹进部连通的第一通道；在所述凹进部底壁的边缘处的所述本体上开设的与所述凹进部连通的第二通道，所述凹进部底壁边缘处设置有用于液体流动替换的流道。本发明可实现处理液对硅能均一实现氧化，生成均匀致密的氧化层；处理液能够做到有效的流动和替换；处理流程自动化程度高，受外界影响小，步骤简单。 |
