一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202110883669.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113322512A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113322512A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | C30B25/02（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 魏建宇;邓雪华;王银海;杨帆 | 申请（专利权）人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张弛 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用重掺As衬底片，电阻率为0.002~0.004Ω•cm，外延生长：源采用超高纯三氯氢硅，生长目标厚度的外延层，同时通入相应的掺杂源。掺杂源通入量分两段：第一段采用变掺杂的模式，起始掺杂流量设定值为0.1Ω·cm≤对应电阻率≤0.5Ω·cm的重掺杂质量，终点掺杂流量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量，掺杂量变化速率恒定，变化区间可选择为总厚度的15%~30%；第二段掺杂通入量恒定，掺杂量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量。采用本发明提供的工艺方法，片内中心、边缘的偏差明显缩小。 |
