一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片
基本信息
| 申请号 | CN202110883682.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113322513A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113322513A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | C30B25/14（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B31/16（2006.01）I;C30B31/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马梦杰;王银海;邓雪华;杨帆 | 申请（专利权）人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张弛 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种生长薄层高阻硅外延片的方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用掺As衬底；设置反应腔体压强10~50Torr，衬底表面用生长温度为1050~1100℃，采用二氯二氢硅（DCS）作为硅源生长第一外延层；设置反应腔体压强10~80Torr，在第一外延层上用生长温度为1050~1100℃，采用二氯二氢硅（DCS）作为硅源生长第二外延层。该方法能够抑制重掺As衬底杂质扩散和蒸发，降低固态扩散和气相自掺杂，在外延厚度薄的情况下获得窄过度区宽度、高外延电阻率及均一外延电阻率分布，既保证器件的击穿电压，又兼顾器件的导通电阻。 |
