一种SOI作为衬底的晶圆外延制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010031562.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111199882A | 公开（公告）日 | 2020-05-26 |
| 申请公布号 | CN111199882A | 申请公布日 | 2020-05-26 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/02;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾海权;韩旭;尤晓杰;王银海 | 申请（专利权）人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江宁经济技术开发区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种SOI作为衬底的晶圆外延工艺，包括以下工艺步骤：(1)将SOI衬底在49％浓度的HF酸液中漂洗30秒，清水中漂洗8分钟，然后进入1#液中漂洗5分钟，再进入清水中漂洗干净后甩干备用；以尽可能去除表面颗粒等；(2)在外延淀积之前使用HCl小流量腐蚀表面，将衬底表面晶格缺陷最严重的部分剥掉；(3)气腐后先进行1100℃退火2～10min，进一步降低衬底表面晶格损伤；(4)1100～1180℃高温外延淀积，使淀积过程产生的缺陷尽可能减少。本发明提供的技术方案能够有效提高SOI材料的外延层质量。 |
