一种背照式BIB红外探测器硅外延片的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010106370.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111384212A | 公开（公告）日 | 2020-07-07 |
| 申请公布号 | CN111384212A | 申请公布日 | 2020-07-07 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 韩旭;邓雪华;尤晓杰 | 申请（专利权）人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 地址 | 210000江苏省南京市江宁经济技术开发区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种背照式BIB红外探测器用硅外延片的制造方法，选择N型<100>掺PH抛光片，电阻率＞10000Ω.cm，不背封衬底，减少衬底自掺杂影响。通过HCL原位高温抛光，以去除表面杂质和缺陷，改善衬底表面质量。通过大流量高温吹除工艺，减少炉腔内自掺杂影响。使用两步三层外延法，背电极层、低阻吸收层同步生长，本征阻挡层分步生长，两步之间大流量H2降温吹除；本征层外延装片前大流量气腐腔体，外延时低速低温生长。本发明通过特殊工艺，在高阻衬底上，制备出了薄层低浓度的背电极层，通过控制自掺杂使得过渡区较为陡直，且本征阻挡层有较宽平区，满足BIB器件设计的要求。 |
