一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810245132.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108428630B | 公开（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申请公布号 | CN108428630B | 申请公布日 | 2021-01-01 |
| 分类号 | H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尤晓杰;邓雪华;刘勇;潘文宾 | 申请（专利权）人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京国盛电子有限公司 |
| 地址 | 211100 江苏省南京市江宁区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法，包括如下步骤：预备掺磷硅衬底片：选用掺磷硅衬底片，电阻率0.0012～0.0015Ωcm，衬底片的局部平整度≤0.8μm，背封层为二氧化硅+多晶硅，二氧化硅和多晶硅的厚度均为第一层包封层：在衬底表面和边缘生长一层厚度为0.5～0.8μm的包封层，同时通入小流量HCl，HCl流量为0.5～1.5L/min；第二层外延层：不通入HCl，通入掺杂，生长一层厚度和电阻率符合200mm肖特基管要求的外延层。本发明外延工艺的有效组合，即保证了扩展电阻的匹配，又保证了外延片的生产效率。 |
