首页/ 景德镇正宇奈米科技有限公司/ 专利详情

热辐射散热发光二极管结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201010185720.1 申请日 -
公开（公告）号 CN102263185A 公开（公告）日 2011-11-30
申请公布号 CN102263185A 申请公布日 2011-11-30
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈烱勋 申请（专利权）人 景德镇正宇奈米科技有限公司
代理机构 北京华夏博通专利事务所 代理人 景德镇正宇奈米科技有限公司
地址 333400 江西省景德镇市浮梁县陶瓷工业园区外环路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种热辐射散热发光二极管结构及其制作方法，包括LED磊晶层、蓝宝石基板、黏着导热层、热辐射散热薄膜及底座基板，LED磊晶层在蓝宝石基板上形成，热辐射散热薄膜在基板上形成，黏着导热层位于蓝宝石基板与热辐射散热薄膜之间以结合包含LED磊晶层的蓝宝石基板及包含热辐射散热薄膜的底座基板。热辐射散热薄膜包含金属与非金属的组合物，并具有结晶体的显微结构，尤其是具有高效率的热辐射散热特性，可将LED磊晶层所产生的热量以热辐射方式快速的朝向底座基板而向外传播，因此能大幅降低LED磊晶层的操作温度，维持稳定的发光操作并延长使用寿限。