基于eFlash存储芯片的数据擦写方法及系统
基本信息
申请号 | CN201911375135.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111143238B | 公开(公告)日 | 2022-03-15 |
申请公布号 | CN111143238B | 申请公布日 | 2022-03-15 |
分类号 | G06F12/02(2006.01)I;G06F11/14(2006.01)I | 分类 | 计算;推算;计数; |
发明人 | 马佳伟;孙楚昆;余彦飞;付琴琴 | 申请(专利权)人 | 无锡融卡科技有限公司 |
代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李镇江;冯丽欣 |
地址 | 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座501室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种基于eFlash存储芯片的数据擦写方法及系统,方法包括:获取应用数据;调用写接口,判断目标擦写单元是否需要启动均衡交换;当不需要启动均衡交换时,将应用数据直接写入目标擦写单元;当需要启动均衡交换时,获取可用的交换单元,将应用数据写入可用的交换单元,其中目标擦写单元是否需要启动均衡交换的判断方法包括:计算获得基准擦写均衡线高度;计算获得目标擦写单元的擦写均衡高度;若擦写均衡高度大于或等于基准擦写均衡线高度,则启动均衡交换。本发明在保证了eFlash存储芯片具有较高的擦写次数的前提下,有效地降低了因引入均衡擦写算法而额外产生的擦写性能开销,提高了寻找均衡交换目标对象的效率。 |
