基于eFlash存储芯片的数据擦写方法及系统

基本信息

申请号 CN201911375135.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111143238B 公开(公告)日 2022-03-15
申请公布号 CN111143238B 申请公布日 2022-03-15
分类号 G06F12/02(2006.01)I;G06F11/14(2006.01)I 分类 计算;推算;计数;
发明人 马佳伟;孙楚昆;余彦飞;付琴琴 申请(专利权)人 无锡融卡科技有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 李镇江;冯丽欣
地址 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座501室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于eFlash存储芯片的数据擦写方法及系统,方法包括:获取应用数据;调用写接口,判断目标擦写单元是否需要启动均衡交换;当不需要启动均衡交换时,将应用数据直接写入目标擦写单元;当需要启动均衡交换时,获取可用的交换单元,将应用数据写入可用的交换单元,其中目标擦写单元是否需要启动均衡交换的判断方法包括:计算获得基准擦写均衡线高度;计算获得目标擦写单元的擦写均衡高度;若擦写均衡高度大于或等于基准擦写均衡线高度,则启动均衡交换。本发明在保证了eFlash存储芯片具有较高的擦写次数的前提下,有效地降低了因引入均衡擦写算法而额外产生的擦写性能开销,提高了寻找均衡交换目标对象的效率。