一种基于外加电场制备硅纳米结构材料的方法
基本信息
| 申请号 | CN201510173473.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104818532B | 公开（公告）日 | 2018-07-27 |
| 申请公布号 | CN104818532B | 申请公布日 | 2018-07-27 |
| 分类号 | C25F3/12;C30B33/10;C25F3/14;B82Y40/00 | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 巢炎;焦晓东;郑武永;姚安琦;吴立群 | 申请（专利权）人 | 嘉兴华吉环保科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州千克知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杭州电子科技大学;杭州追猎科技有限公司;嘉兴华吉环保科技有限公司 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于外加电场制备硅纳米结构材料的方法，其按如下步骤：(1)、将洁净的硅片放入氢氟酸与硝酸银的混合溶液中，使硅片表面沉积一层银薄膜；(2)、将步骤(1)的硅片镀膜后立刻放入腐蚀液内，腐蚀液盛于容器中，容器两侧固定一对惰性电极，惰性电极浸入腐蚀液中；(3)、步骤(2)完成后，立刻打开惰性电极电源，腐蚀一段时间得到硅纳米结构材料。本发明方法只需要改变电场大小这一单一变量即可实现控制催化剂颗粒腐蚀路径。该方法简单易行，利于规模化生产，而且提高了硅纳米结构材料在太阳能电池、锂离子电池、热电器件以及精密传感器等方面的应用性能。 |
