发光二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010228719.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111403565B | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN111403565B | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蓝永凌;李政鸿;林兓兓;张家豪 | 申请（专利权）人 | 安徽三安光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管，包括依次层叠：衬底；第一导电型半导体层、应力释放层、有源层、第二导电型半导体层、第一电极和第二电极；其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。本发明可以提升有源层的生长质量，提高发光效率。 |
