发光二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911084464.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110752276B | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN110752276B | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | H01L33/14;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毕东升;徐凯;蔡家豪;黄照明;张家豪 | 申请（专利权）人 | 安徽三安光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法。其中发光二极管至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、电流阻挡层、透明导电层以及第一电极和第二电极。本发明通过在第二导电型半导体层设置凹槽，将电流阻挡层放置于凹槽中，增加其牢固性，改善碎裂异常。同时，设置电流阻挡层的顶面不高于第二导电型半导体层的表面，使覆盖于其表面的透明导电层与其接触处无台阶，呈平坦状，从而促进电流的扩展，提高抗静电能力。 |
