一种发光二极管及其制作方法

基本信息

申请号 CN202110451436.2 申请日 -
公开(公告)号 CN113224226A 公开(公告)日 2021-08-06
申请公布号 CN113224226A 申请公布日 2021-08-06
分类号 H01L33/64(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 蔡家豪;冯克耀;周立;石杜娟;储贤国;余明志 申请(专利权)人 安徽三安光电有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 241000安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体领域,尤其涉及一种发光二极管及其制作方法,至少包括:基板,具有相对的第一表面和第二表面;第一半导体层,位于所述第一表面上;第二半导体层,位于所述第一半导体层上;有源层,位于所述第一半导体层和第二半导体层之间;第一电极,与第一半导体层电性连接;第二电极,与第二半导体层电性连接;其中所述第二表面具有多个凹槽,所述凹槽内部填充用于散热的金刚石。由于金刚石的导热性较好,可将发光二极管产生的热量快速释放。