一种多量子阱结构及发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN202022230865.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213636023U | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN213636023U | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李家安;李政鸿;林兓兓;张家豪 | 申请（专利权）人 | 安徽三安光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及发光二极管，其中多量子阱结构包括第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第三量子阱层由第三阱层和第三垒层交替层叠而成，其特征在于：所述第三垒层包括依次层叠的第一GaN子层、第一InGaN子层、第二InGaN子层、第三InGaN子层、第二GaN子层。本实用新型可以减少电子溢流及空穴穿隧效应，进而降低发光区非辐射复合效率并改善efficiencydroop效应。 |
