发光二极管及其制作方法
基本信息
申请号 | CN202010017212.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113097355A | 公开(公告)日 | 2021-07-09 |
申请公布号 | CN113097355A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 毕东升;徐胜娟;徐凯;蔡家豪;黄照明;张家豪 | 申请(专利权)人 | 安徽三安光电有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 241000安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于半导体领域,尤其涉及发光二极管及其制作方法,至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层,以及分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电性连接的第一电极和第二电极,所述第二电极包括焊盘部和延伸部,其特征在于:所述延伸部末端和第一电极之间具有用于扩展电流的扩展部。本发明的扩展部可以对注入第二电极的电流进行二次扩展,改善电流密集区的电流拥挤现象,从而提升发光二极管的抗静电能力,降低延伸部末端产生的ESD爆点。 |
