原子层沉积装置

基本信息

申请号 CN202020673168.X 申请日 -
公开(公告)号 CN212335292U 公开(公告)日 2021-01-12
申请公布号 CN212335292U 申请公布日 2021-01-12
分类号 C23C16/455(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 李哲峰;张光海 申请(专利权)人 深圳市原速光电科技有限公司
代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 代理人 魏兰
地址 518000广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间一号楼511-513
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开一种原子层沉积装置,其中,所述原子层沉积装置包括气体分布组件和扩散槽,所述气体分布组件包括一级分流器和多个二级分流器,所述一级分流器具有第一进气孔和多个第一出气孔,每个所述二级分流器均具有第二进气孔和多个第二出气孔;所述一级分流器通过多个所述第一出气孔与多个所述二级分流器的第二进气孔一一对应连通;所述扩散槽与所述第二出气孔连通。本实用新型技术方案利用一级分流器和二级分流器连通,实现供气的同时简化原子层沉积装置结构。