原子层沉积方法、装置及计算机可读存储介质

基本信息

申请号 CN202010348348.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111501017B 公开(公告)日 2022-02-01
申请公布号 CN111501017B 申请公布日 2022-02-01
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 李哲峰;乌磊;梁立元;聆领安辛 申请(专利权)人 深圳市原速光电科技有限公司
代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 代理人 许峰
地址 518000广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间一号楼511-513
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种原子层沉积方法,原子层沉积装置包括沉积设备和卷料的输送装置,所述卷料的输送装置包括相邻设置的主辊筒和第一从辊筒,所述原子层沉积方法包括以下步骤:启动所述沉积设备开始运行;启动所述卷料输送装置工作,且在所述主辊筒转动时,获取第一从辊筒对应的卷料参数,其中,所述卷料参数包括卷料张力和/或卷料压力;在所述卷料参数超出预设参数范围内时,调节所述第一从辊筒对应的电机的转速。本发明还公开了一种原子层沉积装置及计算机可读存储介质,通过主辊筒转动时获取第一从辊筒对应的卷料参数,根据卷料参数的大小调节第一从辊筒对应的电机的转速,使得电机的转速更加合理,卷料表面的原子层沉积更加均匀。