一种多气源等离子增强CVD系统

基本信息

申请号 CN202020940352.6 申请日 -
公开(公告)号 CN212610895U 公开(公告)日 2021-02-26
申请公布号 CN212610895U 申请公布日 2021-02-26
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 孔令杰;李晓丽;杜希文 申请(专利权)人 安徽贝意克智能科技有限公司
代理机构 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 代理人 韩立峰
地址 230000安徽省合肥市肥西县桃花工业园拓展区创新大道与繁华大道交叉口工投立恒广场二期A12栋第9层
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种多气源等离子增强CVD系统,包括炉管、三温区加热炉膛、射频线圈、第一进气口、第一卷轴、进料仓、传动电机、第二进气口、出气口、蝶阀、第二卷轴、出料仓、分子泵、机械泵、风扇、挡板阀、射频电源、流量柜体、触摸屏操控板、复合真空计和蝶阀控制器;本实用新型是采用超大管径的炉管,在原有基础上能够使用更大面积的铜箔,得到更大面积的石墨烯膜,且增加了独立的低真空和高真空系统,并通过高真空快速的使得超大管径的炉管达到所需真空度,同时通过挡板阀可在无需停止分子泵的情况下,对超大管径的炉管进行低真空和高真空的自由切换,并精准控制其中的工作压力,使得超大管径的炉管内的化学反应能够保持统一、均匀。