集成超高耐压隔离电容及其控制电路
基本信息
| 申请号 | CN202022254660.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213304129U | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN213304129U | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 方向明;伍荣翔;李立松 | 申请（专利权）人 | 重庆线易电子科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李莎 |
| 地址 | 401120重庆市渝北区仙桃街道数据谷东路19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供一种集成超高耐压隔离电容及其控制电路。超高压隔离电容位于硅衬底表面，包括第一极板、第二极板、第一介质、和第二介质。第一介质位于第一硅衬底与第一极板之间，第二介质位于第一极板和第二极板之间。第一介质由一层或多层第一组绝缘介质层堆叠组成，第二介质由一层或多层第二组绝缘介质层堆叠组成。第二组绝缘介质层的总厚度与第二组绝缘介质层厚度与相应介质层介电常数比值之和的比值，大于，第一组绝缘介质层的总厚度与第一组绝缘介质层厚度与相应介质层介电常数比值之和的比值。第一极板与位于硅衬底的控制电路相连，第二极板通过键合线与第二硅衬底耦合。 |
