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二次电子发射系数的测量方法

基本信息

申请号	CN202010197709.0	申请日	-
公开（公告）号	CN113495081A	公开（公告）日	2021-10-12
申请公布号	CN113495081A	申请公布日	2021-10-12
分类号	G01N23/2251（2018.01）I;G01R19/00（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	张科;姜开利;范守善	申请（专利权）人	富士康科技集团有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
法律状态	-

摘要

一种二次电子发射系数的测量方法，包括：扫描电子显微镜发射高能电子束，该高能电子束穿过第一收集板、第二收集板进入到法拉第杯中，第二电流计测得进入到法拉第杯中的高能电子束形成的电流I注入电流；将第一收集板和第二收集板短接，将待测样品放置在第一收集板和第二收集板之间，在待测样品与第一收集板之间施加50伏电压，ISE＝0，第一电流计测量待测样品和第一收集板之间的电流I1，背景电流IBG1忽略，根据I1＝IBG1+Iothers+Iothers，求得Iothers；在第一收集板和待测样品之间施加一正电压，采用第一电流计测量第一收集板和待测样品之间的电流I2，背景电流IBG1忽略，根据I1＝IBG1+Iothers+Iothers，求ISE，进而得到二次电子发射系数。