二次电子发射系数测量装置
基本信息
| 申请号 | CN202010198334.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113495082A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113495082A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | G01N23/2251（2018.01）I;G01R19/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张科;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人 | 富士康科技集团有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种二次电子发射系数测量装置，包括：一扫描电子显微镜，具有一电子发射端以及一腔室，该电子发射端用于发射电子束；一第一收集板，具有一第一通孔；一第二收集板，具有一第二通孔；一第一电流计，用于测试从待测样品打到第一收集板和第二收集板的电子的电流强度；一法拉第杯，具有一电子入口；一第二电流计，用于测量进入到法拉第杯的电子的电流强度；以及一电压表，用于测量所述第一收集板与待测样品之间的电压。该第二收集板与第一收集板平行且间隔设置于腔室内，待测样品放置在第一收集板和第二收集板之间。该第一通孔、第二通孔以及电子入口贯穿设置，所述电子束依次穿过第一通孔、第二通孔后进入到所述法拉第杯中。 |
