基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法

基本信息

申请号	CN201610592997.3	申请日	-
公开（公告）号	CN107658321B	公开（公告）日	2019-12-27
申请公布号	CN107658321B	申请公布日	2019-12-27
分类号	H01L27/146	分类	基本电气元件;
发明人	马浩文;闫锋;卜晓峰;沈忱;张丽敏;杨程;毛成	申请（专利权）人	南京吉相传感成像技术研究院有限公司
代理机构	江苏法德东恒律师事务所	代理人	南京威派视半导体技术有限公司
地址	211135 江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园智汇路300号B单元二楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法。其中，光敏探测单元包括复合介质栅MOS‑C部分和复合介质栅MOSFET部分，这两部分形成在同一P型半导体衬底的上方，并共用电荷耦合层。多个上述光敏探测单元在同一P型半导体衬底上排成阵列形成探测器，探测器中相邻单元像素之间通过深槽隔离区以及隔离区下方的P+型注入区来实现隔离。探测时，复合介质栅MOS‑C部分的P型半导体衬底感光，然后将光电子耦合到电荷耦合层，光电子信号通过复合介质栅MOSFET部分进行读取。本发明可以很好地实现光信号的探测，具有较好的弱光响应和线性度，同时没有明显的饱和现象，有比较大的动态范围和比较高的量子效率。