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X射线平板探测器面板结构及其制备方法、平板探测器

基本信息

申请号 CN202110183090.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113053935A 公开（公告）日 2021-06-29
申请公布号 CN113053935A 申请公布日 2021-06-29
分类号 H01L27/146 分类 基本电气元件;
发明人 李桂锋;金利波 申请（专利权）人 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 201201 上海市浦东新区瑞庆路590号9幢2层202室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种X射线平板探测器面板结构及其制备方法，及平板探测器。制备方法包括提供基板，依次形成栅电极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极材料层及第一绝缘层，对第一绝缘层进行图形化刻蚀以形成第一开孔以暴露出源漏电极材料层；于第一开孔内形成光电二极管后对第一绝缘层及未被光电二极管覆盖的源漏电极材料层进行图形化刻蚀以形成源极和漏极，之后形成第二绝缘层和公共电极，公共电极与光电二极管电连接且延伸到氧化物薄膜晶体管的上方。本发明经优化的流程设计，利用源漏电极材料层增强光电二极管与氧化物薄膜晶体管有源层的物理隔离，减少光电二极管和后续绝缘层等制程对氧化物薄膜晶体管电性的影响，有助于提高器件性能。