一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201710794936.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109473504A | 公开（公告）日 | 2019-03-15 |
| 申请公布号 | CN109473504A | 申请公布日 | 2019-03-15 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I; H01L31/068（2012.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李良; 李化阳; 张良; 王霞; 姚玉; 王俊 | 申请（专利权）人 | 镇江大全太阳能有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 212200江苏省镇江市扬中市新坝镇大全路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法，包括如下步骤：（1）硅片去损伤&制绒；（2）磷扩散；（3）磷硅玻璃去除及背面抛光；（4）氧化铝制备；（5）氮化硅沉积；（6）印刷背电极；（7）背电场印刷；（8）正面印刷；（9）烧结、测试。本发明借鉴PERC电池结构，通过丝网印刷方式制备氧化铝钝化膜实现正反面钝化，整个制作过程不使用TMA（三甲基铝），工艺过程安全可靠、环境友好，而且通过两面氧化铝钝化，大大降低硅片正反面的表面复合，最终实现电池片转换效率的提升。 |
