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一种基于天线效应的片上指纹电路及其ID产生单元

基本信息

申请号	CN201610363759.5	申请日	-
公开（公告）号	CN106096498B	公开（公告）日	2019-03-26
申请公布号	CN106096498B	申请公布日	2019-03-26
分类号	G06K9/00（2006.01）I	分类	计算；推算；计数;
发明人	唐枋; 曾广旺; 李世平; 周喜川; 胡盛东; 甘平; 叶楷; 舒洲; 陈卓; 殷鹏; 王忠杰; 黄莎琳; 李明东	申请（专利权）人	深圳华视微电子有限公司
代理机构	深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）	代理人	高瑞;张秋红
地址	518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路128号卓越梅林中心广场（北区）4号楼1207
法律状态	-

摘要

本发明涉及了一种基于天线效应的片上指纹电路及其ID产生单元，该ID产生单元包括电阻及分别为N沟道型的第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中，第一MOS管的栅极及第五MOS管的栅极、源极和漏极均接高电平，第一MOS管的源极、漏极及第二MOS管的漏极分别接第三MOS管的栅极，第二MOS管的栅极和源极接地，第三MOS管的源极接地，第三MOS管的漏极接第四MOS管的漏极，第四MOS管的栅极为该ID产生单元的高电平选中端，第四MOS管的源极连接电阻的一端，电阻的另一端为该ID产生单元的输出端，而且，第一MOS管的栅极和第五MOS管的栅极在芯片生成过程中受天线效应随机地击穿。实施本发明的技术方案，降低了电路的面积。