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碳化硅二极管及制造方法

基本信息

申请号 CN202110802475.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113594263A 公开（公告）日 2021-11-02
申请公布号 CN113594263A 申请公布日 2021-11-02
分类号 H01L29/872（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈俊峰;廖奇泊;陈本昌 申请（专利权）人 淄博绿能芯创电子科技有限公司
代理机构 上海段和段律师事务所 代理人 李佳俊;郭国中
地址 255025山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园区8#楼4楼416
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种碳化硅二极管及制造方法，包括：晶圆基底层、晶圆外延层、掺杂区、掺杂多晶硅、第一层金属层、正面金属层、正面护层和背面金属；晶圆基底层一侧相邻晶圆外延层一侧；晶圆基底层另一侧设置背面金属，背面金属和晶圆基底层之间设置晶背欧姆接触；晶圆外延层另一侧设置多个凹槽，凹槽底部设置为掺杂区，凹槽顶部所在平面和凹槽侧面设置掺杂多晶硅；掺杂区和掺杂多晶硅外侧设置第一层金属层，第一层金属层外侧设置正面金属层，正面金属层外侧设置正面护层。本发明由于界面特性不受高温影响，因此优化工艺流程，减少晶圆减薄后的工艺步骤。